“百人计划”第一批:吴志强

2013/03/08 阅读(

“百人计划”第一批引进人才吴志强博士

 

    吴志强,博士、研究员。1960年5月出生于台湾省新竹市。1983年7月毕业于台湾大学物理系,获学士学位;1989年7月毕业于台湾国立清华大学物理系,获博士学位。技术职称为研究员。曾在台湾知名光电企业新晶元光电有限公司及华上光电有限公司担任多年技术带头人,从事技术管理及技术开发工作,也具有丰富的生产及销售经验,对MOCVD外延技术,芯片工艺及功率器件封装技术有丰富的经验,尤其在芯片工艺开发及产业化生产方面技术突出。拥有3项国际领先成果,18项发明专利,发表论文二十余篇。主持完成了数十项台湾科技成果项目。吴志强博士在三安主持开发了几十项MOCVD外延技术和芯片工艺、主持完成近百项各级科研攻关项目、培训出了一大批半导体方面的优秀工程师。
    以吴志强博士为技术带头人完成的项目曾荣获数项科技进步奖,主要有:“超高亮度发光二极管芯片产业化”荣获厦门市优秀新产品奖、“功率型高亮度LED芯片及倒装技术”荣获厦门市科技进步二等奖、“S-RGB07全色系超高亮度LED芯片” 荣获福建省优秀新产品一等奖、“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”荣获市科技进步二等奖。
    主要发明专利有:
    1. 一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法:授权专利号ZL200710116147.7
    授权日期:2009年11月18日;
    2. 一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法:授权专利号ZL200710114785.5
    授权日期:2009年9月30日;
    3. 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法:授权专利号ZL02135164.3
    授权日期:2005年3月30日;
    4. 一种立体式空间分布电极的发光二极管及其制造方法:授权专利号ZL200710114547.4
    授权日期:2010年9月25日;
    5. 一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法:授权专利号ZL200810237845.7
    授权日期:2010年10月19日;
    6. 一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法:授权专利号ZL200710114785.5
    授权日期:2009年9月30日;
    7. 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法:授权专利号ZL200710114784.0
    授权日期:2009年9月30日;
    8. 一种具有新型复合堆叠式阻挡层金属结构的垂直发光二极管及其制备方法:专利受理号:200910013721.5

 

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